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NPE-4000(M)PECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12” 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源,具有分形氣流分布優勢.樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓??芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵,真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。
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NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12” 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源,具有分形氣流分布優勢.樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓??芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵,真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。
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NPE-3000 PECVD等離子體化學氣相沉積系統: NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12” 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源,具有分形氣流分布優勢.樣品臺通過RF或脈沖DC產生偏壓??芍С旨訜岷屠鋮s.使用250l/sec渦輪分子泵及3.5 cfm的機械泵,真空可低至10-7 torr。標準配置含1路惰性氣體、3路活性氣體和4個MFC。